Logo Logo
0
Мой запрос предложений
English


BLA6G1011-200R,112

BLA6G1011-200R,112

Images are for reference only
See Product Specifications

BLA6G1011-200R,112
Mfr.:
Описание:
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
Упаковка:
Tray
Datasheet:
BLA6G1011-200R,112 Datasheet (PDF)
ECAD-модель:
-
Атрибуты продукта
номер части:BLA6G1011-200R,112
Категория:Discrete Semiconductor Products
Подкатегория:Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Производитель:Ampleon USA Inc.
Упаковка:Tray
Product Status:ec30c235d0eb792797af1aa1d11759a7
Transistor Type:c01695a5a671e8245b2b380214c496d2
Frequency:d818be3f8e1de7956b85957bda56ade9
Gain:a0dac1cc6ab38c37ab69c41375551cf5
Voltage - Test:7457971f56f5eecf3196b1981970d84a
Current Rating (Amps):bc2ddcf9b9312ca5b10352ea8f6438a8
Noise Figure:336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Current - Test:63f9c0b014d9e8860c3239712547a74a
Power - Output:bea642448f4c36f84e63e1c854929b84
Voltage - Rated:07ec5de588af69453712bad1d6d91197
Package / Case:242bf0112e03c5ebdc54bca3d1ec9598
Supplier Device Package:fa321eedbf47731fca4afc52db04844e
In Stock: 0
Stock:
0 Can Ship Immediately
  • Делиться:
Для использования с
A2T26H160-24SR3
A2T26H160-24SR3
Freescale Semiconductor
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
2SK853A-T1-A
2SK853A-T1-A
Renesas Electronics America Inc
SMALL SIGNAL FET
A3G26D055N-1805
A3G26D055N-1805
NXP USA Inc.
RF REFERENCE CIRCUIT 25W 1805-18
A2I20H060NR1
A2I20H060NR1
NXP USA Inc.
IC TRANS RF LDMOS
A2T21H100-25SR3
A2T21H100-25SR3
NXP USA Inc.
IC RF LDMOS TRANS CELL
BG3123RE6327HTSA1
BG3123RE6327HTSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
BLF6G22-180PN,135
BLF6G22-180PN,135
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A
BLF7G20L-250P,118
BLF7G20L-250P,118
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A
BLF8G24LS-200P,112
BLF8G24LS-200P,112
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B
MRF5S9080NR1
MRF5S9080NR1
NXP USA Inc.
FET RF 65V 960MHZ TO-270-4
MRF6S24140HS
MRF6S24140HS
NXP USA Inc.
FET RF 68V 2.39GHZ NI-880S
ON5252,118
ON5252,118
NXP USA Inc.
MOSFET RF SOT428DPAK
Вас также может заинтересовать
MZ0912B100Y,114
MZ0912B100Y,114
Ampleon USA Inc.
RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2
BLF574,112
BLF574,112
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 110V 26.5DB SOT539A
BLP05H6350XRGY
BLP05H6350XRGY
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242
BLF8G22LS-220J
BLF8G22LS-220J
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
BLF178XRS,112
BLF178XRS,112
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 110V 28DB SOT539B
BLF7G22LS-130,112
BLF7G22LS-130,112
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
BLF6G27-10G,112
BLF6G27-10G,112
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C
BLF6G22LS-100,112
BLF6G22LS-100,112
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 18.2DB SOT502B
BLF6G10L-260PBM,11
BLF6G10L-260PBM,11
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V SOT1110A
BLF6H10LS-160,118
BLF6H10LS-160,118
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467B
BLS8G2731L-400PU
BLS8G2731L-400PU
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539A
BLC9G20LS-160PV
BLC9G20LS-160PV
Ampleon USA Inc.
RF FET