Logo Logo
0
Мой запрос предложений
English


BLF8G22LS-200GV,12

BLF8G22LS-200GV,12

Images are for reference only
See Product Specifications

BLF8G22LS-200GV,12
Mfr.:
Описание:
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C
Упаковка:
Tube
Datasheet:
BLF8G22LS-200GV,12 Datasheet (PDF)
ECAD-модель:
-
Атрибуты продукта
номер части:BLF8G22LS-200GV,12
Категория:Discrete Semiconductor Products
Подкатегория:Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Производитель:Ampleon USA Inc.
Упаковка:Tube
Product Status:81a04506d9ec7639ad93ec4fd63454ba
Transistor Type:c01695a5a671e8245b2b380214c496d2
Frequency:887450cccd997325038143f0240c1353
Gain:a246bc681387c8f8854a723a0d12bae5
Voltage - Test:7457971f56f5eecf3196b1981970d84a
Current Rating (Amps):336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Noise Figure:336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Current - Test:00d9f98efc560ef2b894fe86c875a453
Power - Output:9a8bbf6a4cf99820db13510fec76bc2b
Voltage - Rated:07ec5de588af69453712bad1d6d91197
Package / Case:d58b183d959f724eb7b28490a129cec0
Supplier Device Package:fb7aa0141fa0c495c33609756b435bae
In Stock: 0
Stock:
0 Can Ship Immediately
  • Делиться:
Для использования с
MRF5S9100NR1
MRF5S9100NR1
Freescale Semiconductor
RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
BLM8G0710S-60PBY
BLM8G0710S-60PBY
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112
NE3515S02-T1C-A
NE3515S02-T1C-A
Renesas
SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ
BLC9H10XS-606AZ
BLC9H10XS-606AZ
Ampleon USA Inc.
BLC9H10XS-606A/SOT1250/TRAYDP
MMBF5484
MMBF5484
Fairchild Semiconductor
RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
CGH40010P
CGH40010P
Wolfspeed, Inc.
RF MOSFET HEMT 28V 440196
BF1212R,215
BF1212R,215
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R
LET9120
LET9120
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 18A M-246
MRFE6S9125NR1
MRFE6S9125NR1
NXP USA Inc.
FET RF 66V 880MHZ TO-270-4
MRF18060ALR3
MRF18060ALR3
NXP USA Inc.
FET RF 65V 1.88GHZ NI-780
MRF6S18140HR3
MRF6S18140HR3
NXP USA Inc.
FET RF 68V 1.88GHZ NI880
PXAC182002FC-V1-R250
PXAC182002FC-V1-R250
Wolfspeed, Inc.
IC AMP RF LDMOS
Вас также может заинтересовать
BLF184XRGQ
BLF184XRGQ
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C
BLL8H0514-25U
BLL8H0514-25U
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C
BLM7G1822S-80PBY
BLM7G1822S-80PBY
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122
BLF8G24LS-150GVQ
BLF8G24LS-150GVQ
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C
BLC9H10XS-606AZ
BLC9H10XS-606AZ
Ampleon USA Inc.
BLC9H10XS-606A/SOT1250/TRAYDP
BLF8G22LS-220U
BLF8G22LS-220U
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
BLF8G10LS-270,118
BLF8G10LS-270,118
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
BLF10H6600PSU
BLF10H6600PSU
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
BLF6G38S-25,118
BLF6G38S-25,118
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 15DB SOT608B
BLF7G22L-160,118
BLF7G22L-160,118
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A
BLF2425M7L140,118
BLF2425M7L140,118
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A
BLM6G22-30,118
BLM6G22-30,118
Ampleon USA Inc.
IC AMP CDMA 2.11-2.17GHZ 16HSOPF