F3L11MR12W2M1C01BOMA1

Images are for reference only
See Product Specifications

Mfr. #:

Mfr.:

Infineon Technologies

Описание:

IC SIC MOSFET LOW POWER

Упаковка:

Tray

Datasheet:

F3L11MR12W2M1C01BOMA1 Datasheet (PDF)

ECAD-модель:

Атрибуты продукта

номер части:	F3L11MR12W2M1C01BOMA1
Категория:	Discrete Semiconductor Products
Подкатегория:	Transistors - IGBTs - Modules
Производитель:	Infineon Technologies
Упаковка:	Tray
Product Status:	ec30c235d0eb792797af1aa1d11759a7
IGBT Type:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Configuration:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Current - Collector (Ic) (Max):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Power - Max:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Current - Collector Cutoff (Max):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Input Capacitance (Cies) @ Vce:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Input:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
NTC Thermistor:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Operating Temperature:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Mounting Type:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Package / Case:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Supplier Device Package:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327