FDDF80R12W1H3B52BOMA1

Images are for reference only
See Product Specifications

Mfr. #:

Mfr.:

Infineon Technologies

Описание:

IGBT MODULE

Упаковка:

Bulk

Datasheet:

FDDF80R12W1H3B52BOMA1 Datasheet (PDF)

ECAD-модель:

Атрибуты продукта

номер части:	FDDF80R12W1H3B52BOMA1
Категория:	Discrete Semiconductor Products
Подкатегория:	Transistors - IGBTs - Modules
Производитель:	Infineon Technologies
Упаковка:	Bulk
Product Status:	4d3d769b812b6faa6b76e1a8abaece2d
IGBT Type:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Configuration:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Current - Collector (Ic) (Max):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Power - Max:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Current - Collector Cutoff (Max):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Input Capacitance (Cies) @ Vce:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Input:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
NTC Thermistor:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Operating Temperature:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Mounting Type:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Package / Case:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Supplier Device Package:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327