IPB039N10N3GE8197ATMA1

Images are for reference only
See Product Specifications

Mfr. #:

Mfr.:

Infineon Technologies

Описание:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Упаковка:

Bulk

Datasheet:

IPB039N10N3GE8197ATMA1 Datasheet (PDF)

ECAD-модель:

Атрибуты продукта

номер части:	IPB039N10N3GE8197ATMA1
Категория:	Discrete Semiconductor Products
Подкатегория:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Производитель:	Infineon Technologies
Упаковка:	Bulk
Product Status:	4d3d769b812b6faa6b76e1a8abaece2d
FET Type:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Technology:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Drain to Source Voltage (Vdss):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Vgs(th) (Max) @ Id:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Vgs (Max):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
FET Feature:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Power Dissipation (Max):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Operating Temperature:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Mounting Type:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Supplier Device Package:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Package / Case:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327