BLF6G22LS-180RN112

Images are for reference only
See Product Specifications

Mfr. #:

BLF6G22LS-180RN112

Mfr.:

NXP USA Inc.

Описание:

RF POWER TRANSISTORS

Упаковка:

Bulk

Datasheet:

BLF6G22LS-180RN112 Datasheet (PDF)

ECAD-модель:

Атрибуты продукта

номер части:	BLF6G22LS-180RN112
Категория:	Discrete Semiconductor Products
Подкатегория:	Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Производитель:	NXP USA Inc.
Упаковка:	Bulk
Product Status:	4d3d769b812b6faa6b76e1a8abaece2d
Transistor Type:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Frequency - Transition:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Noise Figure (dB Typ @ f):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Gain:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Power - Max:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Current - Collector (Ic) (Max):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Operating Temperature:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Mounting Type:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Package / Case:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Supplier Device Package:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327

In Stock: 60

Stock:

60 Can Ship Immediately