-
Мой счет
Привет, добро пожаловать в Интернет
- Список заказа
- Связаться с нами
Images are for reference only
See Product Specifications
| номер части: | PDTB123EU135 |
| Категория: | Discrete Semiconductor Products |
| Подкатегория: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Производитель: | NXP USA Inc. |
| Упаковка: | Bulk |
| Product Status: | 4d3d769b812b6faa6b76e1a8abaece2d |
| Transistor Type: | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Current - Collector (Ic) (Max): | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Current - Collector Cutoff (Max): | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Power - Max: | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Frequency - Transition: | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Operating Temperature: | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Mounting Type: | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Package / Case: | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Supplier Device Package: | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
