UPA652TT-E1-A

Images are for reference only
See Product Specifications

Mfr. #:

UPA652TT-E1-A

Mfr.:

Renesas Electronics America Inc

Описание:

MOSFET P-CH 20V 2A 6WSOF

Упаковка:

Bulk

Datasheet:

UPA652TT-E1-A Datasheet (PDF)

ECAD-модель:

Атрибуты продукта

номер части:	UPA652TT-E1-A
Категория:	Discrete Semiconductor Products
Подкатегория:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Производитель:	Renesas Electronics America Inc
Упаковка:	Bulk
Product Status:	ec30c235d0eb792797af1aa1d11759a7
FET Type:	9945a529f9f3f7e23d6cd49cab56133a
Technology:	54a5be1d27124bd4f8897fe25aa94ecc
Drain to Source Voltage (Vdss):	1d4b1d1d0414ed964cb9de7f5a150f63
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:	49be2d3befbb5f287b3239b421243897
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	736464fc126aaffe98b4245520d26d9c
Vgs(th) (Max) @ Id:	f710eedc1bf5fdb1a1e1a08d92eb0502
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	1749f50db5991b8eafdfd1c4567017d2
Vgs (Max):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:	c5cfa6a09f02c0ee4f9d77b045782bc3
FET Feature:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Power Dissipation (Max):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Operating Temperature:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Mounting Type:	6277abee52798fa9d158f75ff84dd873
Supplier Device Package:	a4cd1c5e0340436d33efc165422bdbe7
Package / Case:	7c90fc2d381f537f5d12d3540113c957