CRS10I30B(TE85L,QM

Images are for reference only
See Product Specifications

Mfr. #:

CRS10I30B(TE85L,QM

Mfr.:

Toshiba Semiconductor and Storage

Описание:

PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V=30

Упаковка:

Tape & Reel (TR)

Datasheet:

CRS10I30B(TE85L,QM Datasheet (PDF)

ECAD-модель:

Атрибуты продукта

номер части:	CRS10I30B(TE85L,QM
Категория:	Discrete Semiconductor Products
Подкатегория:	Diodes - Rectifiers - Single
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage
Упаковка:	Tape & Reel (TR)
Product Status:	4d3d769b812b6faa6b76e1a8abaece2d
Diode Type:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Current - Average Rectified (Io):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Speed:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Reverse Recovery Time (trr):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Current - Reverse Leakage @ Vr:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Capacitance @ Vr, F:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Mounting Type:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Package / Case:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Supplier Device Package:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Operating Temperature - Junction:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327