BSM300GA160DN13CB7HOSA1

Images are for reference only
See Product Specifications

Mfr. #:

Mfr.:

Infineon Technologies

Описание:

BSM300GA160 - INSULATED GATE BIP

Упаковка:

Bulk

Datasheet:

BSM300GA160DN13CB7HOSA1 Datasheet (PDF)

ECAD-модель:

Атрибуты продукта

номер части:	BSM300GA160DN13CB7HOSA1
Категория:	Discrete Semiconductor Products
Подкатегория:	Transistors - IGBTs - Single
Производитель:	Infineon Technologies
Упаковка:	Bulk
Product Status:	ec30c235d0eb792797af1aa1d11759a7
IGBT Type:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Current - Collector (Ic) (Max):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Current - Collector Pulsed (Icm):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Power - Max:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Switching Energy:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Input Type:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Gate Charge:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Td (on/off) @ 25°C:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Test Condition:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Reverse Recovery Time (trr):	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Operating Temperature:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Mounting Type:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Package / Case:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327
Supplier Device Package:	336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327