-
Мой счет
Привет, добро пожаловать в Интернет
- Список заказа
- Связаться с нами
Images are for reference only
See Product Specifications
| номер части: | TPW2900ENH,L1Q |
| Категория: | Discrete Semiconductor Products |
| Подкатегория: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Производитель: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Product Status: | 4d3d769b812b6faa6b76e1a8abaece2d |
| FET Type: | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Technology: | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Drain to Source Voltage (Vdss): | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Vgs (Max): | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| FET Feature: | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Power Dissipation (Max): | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Operating Temperature: | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Mounting Type: | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Supplier Device Package: | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
| Package / Case: | 336d5ebc5436534e61d16e63ddfca327 |
